Установки для выращивания искусственных сапфиров

Загрузка плеера

  • производство
  • поставка
  • обслуживание

Открытое акционерное общество “Рыбинский завод приборостроения” совместно с ООО “Апекс” г. С. Петербург и ООО “Сектор” г. Рыбинск выпускает установки для выращивания монокристаллов сапфира.

Установка предназначена для плавления исходного сырья, выращивания из расплава кристаллов искусственного корунда и отжига выращенных кристаллов, используемых в качестве исходного сырья для изготовления подложек при производстве сверхъярких диодов и изделий силовой электроники.

Для выращивания кристаллов используется метод Киропулоса. Преимущества данного метода - высокое качество получаемого продукта, высокая скорость роста кристалла и возможность автоматизации процесса.

Технические параметры

Масса кристалла

28/55 кг

Наружные размеры тигля

d250х370мм

Материал тигля

вольфрам

Способ нагрева

резистивный нагрев

Рабочее давление в камере, не более

10-6мм.рт.ст.

Потребляемая мощность

60/80 кВт

Точность поддержания напряжения

± 0,1%

Скорость перемещения штока

0,1-2,0 мм/час

Частота вращения штока

0-20 об/мин

Охлаждение

Расход охлаждающей воды

3 /час

Давление охлаждающей воды на входе, не менее

0,2 МПа

Рабочий газ /вакуум/

10-6мм рт.ст

Электрические характеристики

Питание силовой части

380 В

Частота питающей сети

50 Гц

Установленная мощность

60 кВт

Напряжение питания нагревателя

0-12 В

Питание шкафа управления

220 В

Габаритные размеры установки

Высота максимальная

2700 мм

Длина

2050 мм

Ширина

1600 мм

Искусственные сапфиры широко используются в электронной, оптической, медицинской промышленности.

Рекламный проспект


© 2002 Битрикс, 2007 1С-Битрикс